Numéro de produit du fabricant:
STB100N10F7
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB100N10F7-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12876011
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SOUMETTRE
STB100N10F7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4369 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB100
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
-497-14527-1
497-14527-6
-497-14527-2
497-14527-1
497-14527-2
STB100N10F7-DG
-497-14527-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA130N10T2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA130N10T2-DG
PRIX UNITAIRE
2.41
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0
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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