Numéro de produit du fabricant:
SGT120R65AL
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SGT120R65AL-DG
Description:
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Description détaillée:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Inventaire:
12 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12995342
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SOUMETTRE
SGT120R65AL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 12mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+6V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
125 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
192W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerFlat™ (5x6) HV
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
SGT120
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
497-SGT120R65ALTR
497-SGT120R65ALCT
497-SGT120R65ALDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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