Numéro de produit du fabricant:
SCTWA35N65G2VAG
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCTWA35N65G2VAG-DG
Description:
SICFET N-CH 650V 45A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventaire:
12939202
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SOUMETTRE
SCTWA35N65G2VAG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
rds activé (max) @ id, vgs
72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1370 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 Long Leads
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCTWA35
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
600
Autres noms
497-SCTWA35N65G2VAG
Classification environnementale et d'exportation
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC060SMA070B
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
26
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC060SMA070B-DG
PRIX UNITAIRE
6.90
TYPE DE SUBSTITUT
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