Numéro de produit du fabricant:
SCTH60N120G2-7
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCTH60N120G2-7-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventaire:
12985466
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SOUMETTRE
SCTH60N120G2-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1969 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
390W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-SCTH60N120G2-7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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