SCT50N120
Numéro de produit du fabricant:

SCT50N120

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SCT50N120-DG

Description:

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventaire:

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SOUMETTRE

SCT50N120 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
318W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
HiP247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT50

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
SCT50N120 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
-1138-SCT50N120
497-16598-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
G3R40MT12D
FABRICANT
GeneSiC Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1725
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R40MT12D-DG
PRIX UNITAIRE
12.88
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC040SMA120B
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
61
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC040SMA120B-DG
PRIX UNITAIRE
16.98
TYPE DE SUBSTITUT
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