Numéro de produit du fabricant:
SCT30N120H
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT30N120H-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventaire:
12871911
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SOUMETTRE
SCT30N120H Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1700 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SCT30
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-SCT30N120HDKR
SCT30N120H-DG
497-SCT30N120HTR
497-SCT30N120HCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STF14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STW24NK55Z
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
STW24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ.,
