SCT10N120
Numéro de produit du fabricant:

SCT10N120

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SCT10N120-DG

Description:

SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventaire:

12878188
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SOUMETTRE

SCT10N120 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
290 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
HiP247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT10

Fiche technique & Documents

Informations supplémentaires

Forfait standard
100
Autres noms
497-16597-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
MSC360SMA120B
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
138
NUMÉRO DE PIÈCE
MSC360SMA120B-DG
PRIX UNITAIRE
4.74
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R350MT12D
FABRICANT
GeneSiC Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
5904
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R350MT12D-DG
PRIX UNITAIRE
2.97
TYPE DE SUBSTITUT
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Certification DIGI
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