Numéro de produit du fabricant:
SCT070H120G3AG
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT070H120G3AG-DG
Description:
H2PAK-7
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventaire:
13269545
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SOUMETTRE
SCT070H120G3AG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+18V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 850 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
223W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-SCT070H120G3AGTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
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