Numéro de produit du fabricant:
MJD122-1
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MJD122-1-DG
Description:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
2794 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12876706
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SOUMETTRE
MJD122-1 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
8 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
10µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 4A, 4V
Puissance - Max
20 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Numéro de produit de base
MJD122
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
MJD122-1-DG
497-16183
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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