Numéro de produit du fabricant:
2SC6017-H-TL-E
Product Overview
Fabricant:
Sanyo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SC6017-H-TL-E-DG
Description:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 10 A 200MHz 950 mW Surface Mount DPAK/TP-FA
Inventaire:
1314 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12941187
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
4FD0
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
2SC6017-H-TL-E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
10 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
360mV @ 250mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
10µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 1A, 2V
Puissance - Max
950 mW
Fréquence - Transition
200MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK/TP-FA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,314
Autres noms
ONSSNY2SC6017-H-TL-E
2156-2SC6017-H-TL-E
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
Not applicable
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
2SD2223-E-SY
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC536E-SPA-AC
SMALL SIGNAL NPN SILICON
BCP53H,115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR