Numéro de produit du fabricant:
RX3G18BGNC16
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RX3G18BGNC16-DG
Description:
NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Description détaillée:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
2903 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12967381
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SOUMETTRE
RX3G18BGNC16 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.64mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
168 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12000 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
RX3G18
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
846-RX3G18BGNC16DKR
846-RX3G18BGNC16CT-DG
846-RX3G18BGNC16CT
846-RX3G18BGNC16TR
846-RX3G18BGNC16DKR-DG
846-RX3G18BGNC16TR-DG
846-RX3G18BGNC16
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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