RUM002N05T2L
Numéro de produit du fabricant:

RUM002N05T2L

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RUM002N05T2L-DG

Description:

MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Description détaillée:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3

Inventaire:

812712 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525789
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SOUMETTRE

RUM002N05T2L Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
25 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
VMT3
Emballage / Caisse
SOT-723
Numéro de produit de base
RUM002

Fiche technique & Documents

Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
8,000
Autres noms
RUM002N05T2L-ND
RUM002N05T2LCT
RUM002N05T2LDKR
RUM002N05T2LTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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