Numéro de produit du fabricant:
RUM001L02T2CL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RUM001L02T2CL-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Description détaillée:
N-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventaire:
784778 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525823
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SOUMETTRE
RUM001L02T2CL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7.1 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
VMT3
Emballage / Caisse
SOT-723
Numéro de produit de base
RUM001
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Guide de numérotation des pièces
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
RUM001L02T2CLTR
RUM001L02T2CLDKR
RUM001L02T2CLCT
RUM001L02T2CL-ND
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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