RTQ025P02HZGTR
Numéro de produit du fabricant:

RTQ025P02HZGTR

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RTQ025P02HZGTR-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Inventaire:

3051 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12939476
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

RTQ025P02HZGTR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
580 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
950mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT6 (SC-95)
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
RTQ025

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RTQ025P02HZGCT
846-RTQ025P02HZGTR
846-RTQ025P02HZGDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
vishay-siliconix

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

vishay-siliconix

SQS484EN-T1_BE3

MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8

vishay-siliconix

SUD35N10-26P-BE3

MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK

rohm-semi

RSS090N03FRATB

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP