Numéro de produit du fabricant:
RS3E130ATTB1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RS3E130ATTB1-DG
Description:
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Description détaillée:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventaire:
4956 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12975350
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
fgVh
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RS3E130ATTB1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3730 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOP
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
RS3E
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
846-RS3E130ATTB1DKR
846-RS3E130ATTB1TR
846-RS3E130ATTB1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
MSJB17N80-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
PH5830DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
