RQ6E040XNTCR
Numéro de produit du fabricant:

RQ6E040XNTCR

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RQ6E040XNTCR-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Inventaire:

2900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527022
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SOUMETTRE

RQ6E040XNTCR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.3 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
180 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
950mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT6 (SC-95)
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
RQ6E040

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
RQ6E040XNTCRTR
RQ6E040XNTCRDKR
RQ6E040XNTCRCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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