Numéro de produit du fabricant:
RQ3E180GNTB
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RQ3E180GNTB-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Description détaillée:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventaire:
4770 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526567
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RQ3E180GNTB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 39A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1520 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSMT (3.2x3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E180
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RQ3E180GNTBTR
RQ3E180GNTBDKR
RQ3E180GNTBCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
R6025ANZC8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
