Numéro de produit du fabricant:
RQ3E080GNTB
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RQ3E080GNTB-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Description détaillée:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventaire:
2993 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526310
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SOUMETTRE
RQ3E080GNTB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
295 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 15W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSMT (3.2x3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E080
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RQ3E080GNTBCT
RQ3E080GNTBTR
RQ3E080GNTBDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3027LFG-7
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
2854
NUMÉRO DE PIÈCE
DMN3027LFG-7-DG
PRIX UNITAIRE
0.21
TYPE DE SUBSTITUT
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