Numéro de produit du fabricant:
RQ1C065UNTR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RQ1C065UNTR-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Description détaillée:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventaire:
2855 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524247
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SOUMETTRE
RQ1C065UNTR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
870 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT8
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
RQ1C065
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RQ1C065UNTRDKR-ND
RQ1C065UNCT
RQ1C065UNDKR
RQ1C065UNTRCT-ND
RQ1C065UNTRTR-ND
RQ1C065UNTRDKR
RQ1C065UNTRTR
RQ1C065UNTRCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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