Numéro de produit du fabricant:
RJ1L12CGNTLL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RJ1L12CGNTLL-DG
Description:
NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
Description détaillée:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Inventaire:
1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12998018
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SOUMETTRE
RJ1L12CGNTLL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7100 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
166W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263AB
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
RJ1L12
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
846-RJ1L12CGNTLLCT
846-RJ1L12CGNTLLDKR
846-RJ1L12CGNTLLTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
CMS09N10D-HF
MOSFET N-CH 100V 9.6A DPAK
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
GSFP0255
MOSFET, P-CH, SINGLE, -55A, -20V
