RF4P060BGTCR
Numéro de produit du fabricant:

RF4P060BGTCR

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RF4P060BGTCR-DG

Description:

NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Description détaillée:
N-Channel 100 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S

Inventaire:

3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13309349
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SOUMETTRE

RF4P060BGTCR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
53mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
305 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN2020-8S
Emballage / Caisse
8-PowerUDFN
Numéro de produit de base
RF4P060

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RF4P060BGTCRCT
846-RF4P060BGTCRTR
846-RF4P060BGTCRDKR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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