Numéro de produit du fabricant:
RF4P025ATTCR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RF4P025ATTCR-DG
Description:
PCH -100V -2.5A POWER MOSFET
Description détaillée:
P-Channel 100 V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventaire:
2951 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12998182
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SOUMETTRE
RF4P025ATTCR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
260mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
590 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
HUML2020L8
Emballage / Caisse
8-PowerUDFN
Numéro de produit de base
RF4P025
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RF4P025ATTCRDKR
846-RF4P025ATTCRTR
846-RF4P025ATTCRCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R6004KNXC7G
600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
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DIODE
