RDN100N20
Numéro de produit du fabricant:

RDN100N20

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RDN100N20-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
Description détaillée:
N-Channel 200 V 10A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN

Inventaire:

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SOUMETTRE

RDN100N20 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
543 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FN
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
RDN100

Informations supplémentaires

Forfait standard
500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N20
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N20-DG
PRIX UNITAIRE
1.09
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
0.73
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1731
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PRIX UNITAIRE
0.56
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QUANTITÉ DISPONIBLE
890
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.86
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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