Numéro de produit du fabricant:
RD3G600GNTL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RD3G600GNTL-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Description détaillée:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
2466 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526821
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SOUMETTRE
RD3G600GNTL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3400 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
RD3G600
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
RD3G600GNTLDKR
RD3G600GNTLCT
RD3G600GNTLTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD130N4F6AG
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2500
NUMÉRO DE PIÈCE
STD130N4F6AG-DG
PRIX UNITAIRE
0.68
TYPE DE SUBSTITUT
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