Numéro de produit du fabricant:
RCJ331N25TL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RCJ331N25TL-DG
Description:
250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO
Description détaillée:
N-Channel 250 V 33A (Tc) 1.56W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventaire:
1990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997793
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SOUMETTRE
RCJ331N25TL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
105mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.56W (Ta), 211W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263S
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
RCJ331
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
846-RCJ331N25TLTR
846-RCJ331N25TLCT
846-RCJ331N25TLDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2SK4150TZ-E
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
RW4E045AJTCL1
NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
2N7002E-7-F-79
DIODE
