Numéro de produit du fabricant:
RCD100N19TL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RCD100N19TL-DG
Description:
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Description détaillée:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventaire:
1108 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526992
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SOUMETTRE
RCD100N19TL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
190 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
CPT3
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
RCD100
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
RCD100N19TLTR
RCD100N19TLDKR
RCD100N19TLCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RD3S100CNTL1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2256
NUMÉRO DE PIÈCE
RD3S100CNTL1-DG
PRIX UNITAIRE
0.88
TYPE DE SUBSTITUT
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