Numéro de produit du fabricant:
R8002ANJGTL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R8002ANJGTL-DG
Description:
NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Description détaillée:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventaire:
925 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976159
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SOUMETTRE
R8002ANJGTL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263S
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
R8002
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
846-R8002ANJGTLDKR
846-R8002ANJGTLTR
846-R8002ANJGTLCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R8002ANJFRGTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
930
NUMÉRO DE PIÈCE
R8002ANJFRGTL-DG
PRIX UNITAIRE
1.05
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
FQA28N50-ON
28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL
TK60S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
IXTP60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
