R6524KNZC17
Numéro de produit du fabricant:

R6524KNZC17

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

R6524KNZC17-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventaire:

300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13275756
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SOUMETTRE

R6524KNZC17 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
185mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 750µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6524

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
846-R6524KNZC17

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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