Numéro de produit du fabricant:
R6524KNXC7G
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6524KNXC7G-DG
Description:
650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Description détaillée:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
990 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997390
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SOUMETTRE
R6524KNXC7G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
185mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 750µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6524
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
846-R6524KNXC7G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SQA405CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
PJP12NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
SIHB055N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
