Numéro de produit du fabricant:
R6086YNZC17
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6086YNZC17-DG
Description:
NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventaire:
300 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12992399
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SOUMETTRE
R6086YNZC17 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
rds activé (max) @ id, vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4.6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5100 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
114W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
300
Autres noms
846-R6086YNZC17
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMFS4935NT1G-IRH1
NTMFS4935NT1G-IRH1
ICE60N130FP
Superjunction MOSFET
SIHG15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
