Numéro de produit du fabricant:
R6049YNZ4C13
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6049YNZ4C13-DG
Description:
NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS
Description détaillée:
N-Channel 600 V 49A (Tc) 448W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventaire:
600 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13238648
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SOUMETTRE
R6049YNZ4C13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
49A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
rds activé (max) @ id, vgs
82mOhm @ 11A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 2.9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2940 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
448W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247G
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
846-R6049YNZ4C13
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Certification DIGI
Produits Connexes
R6061YNXC7G
NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
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