Numéro de produit du fabricant:
R6025JNZC8
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6025JNZC8-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventaire:
13 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527379
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SOUMETTRE
R6025JNZC8 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V
rds activé (max) @ id, vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 4.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
85W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6025
Informations supplémentaires
Forfait standard
360
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6025JNZC17
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
300
NUMÉRO DE PIÈCE
R6025JNZC17-DG
PRIX UNITAIRE
3.66
TYPE DE SUBSTITUT
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