Numéro de produit du fabricant:
R6022YNX3C16
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6022YNX3C16-DG
Description:
NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Description détaillée:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
998 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13002811
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SOUMETTRE
R6022YNX3C16 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 1.8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1400 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
205W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
846-R6022YNX3C16
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK4D72-30X
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NVMJST2D6N08HTXG
TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
DMN2991UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-