Numéro de produit du fabricant:
R6020ANZC8
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6020ANZC8-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventaire:
13525976
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SOUMETTRE
R6020ANZC8 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
220mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2040 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
360
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6020KNZ4C13
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
422
NUMÉRO DE PIÈCE
R6020KNZ4C13-DG
PRIX UNITAIRE
3.72
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PRIX UNITAIRE
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