Numéro de produit du fabricant:
R6009KNX
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6009KNX-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
13526049
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SOUMETTRE
R6009KNX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
540 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
48W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6009
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK560A65Y,S4X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
5
NUMÉRO DE PIÈCE
TK560A65Y,S4X-DG
PRIX UNITAIRE
0.60
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
1
NUMÉRO DE PIÈCE
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.94
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