R6009KNJTL
Numéro de produit du fabricant:

R6009KNJTL

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

R6009KNJTL-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Description détaillée:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS

Inventaire:

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SOUMETTRE

R6009KNJTL Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
540 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
94W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LPTS
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
R6009

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
R6009KNJTL LPTS TL Taping Spec

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
R6009KNJTLTR
R6009KNJTLCT
R6009KNJTLDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

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QUANTITÉ DISPONIBLE
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