R6006ANX
Numéro de produit du fabricant:

R6006ANX

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

R6006ANX-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventaire:

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SOUMETTRE

R6006ANX Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
520 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6006

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
R6006ANX

Informations supplémentaires

Forfait standard
500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A60W,S4VX
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TK5A60W,S4VX-DG
PRIX UNITAIRE
0.79
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