Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
RD Congo
Argentine
Turquie
Roumanie
Lituanie
Norvège
Autriche
Angola
Slovaquie
ltaly
Finlande
Biélorussie
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Monténégro
Russe
Belgique
Suède
Serbie
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Moldavie
Allemagne
Pays-Bas
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
France
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Portugal
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Espagne
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
QS8J2TR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
QS8J2TR-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Inventaire:
7544 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526045
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
m
1
R
W
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
QS8J2TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1940pF @ 6V
Puissance - Max
550mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT8
Numéro de produit de base
QS8J2
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
TSMT8D Inner Structure
Documents de fiabilité
TSMT8 MOS Reliability Test
Fiches techniques
QS8J2TR
TSMT8 TR Taping Spec
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
846-QS8J2TR
QS8J2TR-ND
846-QS8J2CT
846-QS8J2DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SH8J66TB1
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP
QH8K22TCR
MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
QS8M12TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
QS8M11TCR
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8