QS6J11TR
Numéro de produit du fabricant:

QS6J11TR

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

QS6J11TR-DG

Description:

MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Inventaire:

4607 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525337
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SOUMETTRE

QS6J11TR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A
rds activé (max) @ id, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
770pF @ 6V
Puissance - Max
600mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT6 (SC-95)
Numéro de produit de base
QS6J11

Fiche technique & Documents

Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
QS6J11TRDKR
QS6J11CT
QS6J11TRCT
QS6J11TRCT-ND
QS6J11TRDKR-ND
QS6J11DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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