Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
RD Congo
Argentine
Turquie
Roumanie
Lituanie
Norvège
Autriche
Angola
Slovaquie
ltaly
Finlande
Biélorussie
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Monténégro
Russe
Belgique
Suède
Serbie
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Moldavie
Allemagne
Pays-Bas
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
France
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Portugal
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Espagne
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IMD3AT108
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IMD3AT108-DG
Description:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventaire:
5958 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524230
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IMD3AT108 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
300mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Ensemble d’appareils du fournisseur
SMT6
Numéro de produit de base
IMD3
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
SMT6 Inner Structure
Documents de fiabilité
SMT6 DTR Reliability Test
Fiches techniques
IMD3AT108
SMT6 T108 Taping Spec
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
IMD3AT108DKR
IMD3AT108CT
IMD3AT108TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
UMB4NTN
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
FMA10AT148
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
FMG9AT248
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
FMA7AT148
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5