EMH25T2R
Numéro de produit du fabricant:

EMH25T2R

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

EMH25T2R-DG

Description:

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventaire:

93 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13514336
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SOUMETTRE

EMH25T2R Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
150mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT6
Numéro de produit de base
EMH25

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
8,000
Autres noms
846-EMH25T2RDKR
846-EMH25T2RTR
846-EMH25T2RCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NSBC143ZDXV6T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
15499
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBC143ZDXV6T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4986FE,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3745
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4986FE,LF(CT-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4906FE,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
4000
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.02
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