Numéro de produit du fabricant:
EMD6FHAT2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMD6FHAT2R-DG
Description:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventaire:
13521004
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SOUMETTRE
EMD6FHAT2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
150mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT6
Numéro de produit de base
EMD6FHAT2
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
EMD6FHAT2RCT
EMD6FHAT2RDKR
EMD6FHAT2RTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4990FE,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RN4990FE,LF(CT-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD6,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4000
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD6,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
RN1910FE,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
4750
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1910FE,LF(CT-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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