Numéro de produit du fabricant:
EMD2T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMD2T2R-DG
Description:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventaire:
13523202
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SOUMETTRE
EMD2T2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
22kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
150mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT6
Numéro de produit de base
EMD2T2
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
EMD2T2RCT
EMD2T2RTR
EMD2T2R-ND
EMD2T2RDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD2,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
2902
NUMÉRO DE PIÈCE
PEMD2,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBC124EPDXV6T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
3566
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBC124EPDXV6T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
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