Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
EMA2T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMA2T2R-DG
Description:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventaire:
Demande de devis en ligne
13522678
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
EMA2T2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
47kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
150mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT5
Numéro de produit de base
EMA2T2
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
EMT5 Inner Structure
Documents de fiabilité
EMT5 DTR Reliability Test
Fiches techniques
EMA2T2R
EMT5 T2R Taping Spec
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
EMA2T2RTR
EMA2T2RDKR
EMA2T2RCT
EMA2T2R-ND
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2704JE(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3890
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2704JE(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
EMH9FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMG2T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMH10FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMB4T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6