Numéro de produit du fabricant:
EM6M1T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EM6M1T2R-DG
Description:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Description détaillée:
Mosfet Array 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Inventaire:
13521832
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SOUMETTRE
EM6M1T2R Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V, 20V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA, 200mA
rds activé (max) @ id, vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13pF @ 5V
Puissance - Max
150mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT6
Numéro de produit de base
EM6M1
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
Q8377399
EM6M1T2RTR
EM6M1T2RCT
EM6M1T2RDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTJD4158CT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
14230
NUMÉRO DE PIÈCE
NTJD4158CT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
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PRIX UNITAIRE
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