Numéro de produit du fabricant:
DTC143XEBTL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DTC143XEBTL-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Inventaire:
13520581
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SOUMETTRE
DTC143XEBTL Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
4.7 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
150 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-75, SOT-416
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT3
Numéro de produit de base
DTC143
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1116(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
73
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1116(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.18
TYPE DE SUBSTITUT
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