DTC115EU3HZGT106
Numéro de produit du fabricant:

DTC115EU3HZGT106

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DTC115EU3HZGT106-DG

Description:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

Inventaire:

2865 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13522616
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SOUMETTRE

DTC115EU3HZGT106 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
100 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
100 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
82 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
200 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Ensemble d’appareils du fournisseur
UMT3
Numéro de produit de base
DTC115

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
DTC115EU3HZGT106TR
DTC115EU3HZGT106CT
DTC115EU3HZGT106DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NSVMUN5236T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
NSVMUN5236T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
DDTC115EUA-7-F
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DDTC115EUA-7-F-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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