Numéro de produit du fabricant:
DTC114EMFHAT2L
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DTC114EMFHAT2L-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventaire:
12939492
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SOUMETTRE
DTC114EMFHAT2L Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
150 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-723
Ensemble d’appareils du fournisseur
VMT3
Numéro de produit de base
DTC114
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
846-DTC114EMFHAT2LCT
846-DTC114EMFHAT2LTR
846-DTC114EMFHAT2LDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1102MFV,L3F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
13398
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1102MFV,L3F-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC114EM3T5G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
20591
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC114EM3T5G-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
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