Numéro de produit du fabricant:
DTA123JE3TL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DTA123JE3TL-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12998191
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SOUMETTRE
DTA123JE3TL Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
DTC123J
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased + Diode
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
2.2 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
150 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-75, SOT-416
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT3
Numéro de produit de base
DTA123
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
846-DTA123JE3TLTR
846-DTA123JE3TLCT
846-DTA123JE3TLDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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