Numéro de produit du fabricant:
DTA114GUAT106
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DTA114GUAT106-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Inventaire:
1127 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524220
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SOUMETTRE
DTA114GUAT106 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Ensemble d’appareils du fournisseur
UMT3
Numéro de produit de base
DTA114
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DTA114GUAT106TR
DTA114GUAT106DKR
DTA114GUAT106CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2311(TE85L,F)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
2610
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2311(TE85L,F)-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
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